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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
17.1
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3379
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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