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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2706
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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