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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2773
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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