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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
19.4
写入速度,GB/s
8.1
15.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3515
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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