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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
64
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
64
读取速度,GB/s
11.2
16.6
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2065
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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