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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
67
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
67
读取速度,GB/s
11.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2030
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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