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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9905630-031.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
11.2
15.5
写入速度,GB/s
8.1
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2619
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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