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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9905702-119.A00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
11.2
13.2
写入速度,GB/s
8.1
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2530
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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