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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9965589-024.D01G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
10.2
写入速度,GB/s
8.1
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2280
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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