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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9965600-018.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2386
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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