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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
79
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.4
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
79
读取速度,GB/s
11.2
12.4
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1721
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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