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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX2400C15/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
11.2
16.5
写入速度,GB/s
8.1
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3033
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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