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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2824
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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