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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2978
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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