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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
16.6
写入速度,GB/s
8.1
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2848
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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