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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kllisre DDR4-8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
46
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Kllisre DDR4-8GB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.4
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
46
读取速度,GB/s
11.2
11.4
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2311
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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