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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
47
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
47
读取速度,GB/s
11.2
11.1
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1967
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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