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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
11.2
13.0
写入速度,GB/s
8.1
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2512
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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