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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
44
左右 -33% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
33
读取速度,GB/s
11.2
10.3
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2235
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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