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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
11.2
15.3
写入速度,GB/s
8.1
7.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2276
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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