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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
11.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2272
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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