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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
19.1
写入速度,GB/s
8.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3341
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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