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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
45
读取速度,GB/s
11.2
10.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2142
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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