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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
47
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
47
读取速度,GB/s
11.2
10.0
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2308
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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