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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
47
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
47
读取速度,GB/s
11.2
10.0
写入速度,GB/s
8.1
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2308
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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