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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
66
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
66
读取速度,GB/s
11.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1699
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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