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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
53
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
53
读取速度,GB/s
11.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2285
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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