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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
57
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
57
读取速度,GB/s
11.2
9.4
写入速度,GB/s
8.1
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2170
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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