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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
81
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
81
读取速度,GB/s
11.2
12.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1460
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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