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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
81
左右 46% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
81
读取速度,GB/s
11.2
12.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1460
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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