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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
11.2
15.9
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2854
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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