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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
11.2
17.4
写入速度,GB/s
8.1
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2801
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
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