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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
20.5
写入速度,GB/s
8.1
16.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3616
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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