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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
16.3
写入速度,GB/s
8.1
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2637
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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