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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
比较
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
总分
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
10.2
16.7
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
3659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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