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Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
比较
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB vs Kingston 9965643-002.A01G 4GB
总分
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
总分
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.2
16.2
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
2546
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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