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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
55
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
31
读取速度,GB/s
9.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
3819
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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