Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB

总分
star star star star star
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 55
    左右 -139% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.2 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    55 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    9.4 left arrow 17.2
  • 写入速度,GB/s
    7.8 left arrow 12.0
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2424 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较