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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
55
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
23
读取速度,GB/s
9.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
3017
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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