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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
60
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
60
读取速度,GB/s
8.0
18.0
写入速度,GB/s
7.3
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2004
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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