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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
18.0
写入速度,GB/s
7.3
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2978
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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