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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
8.0
19.7
写入速度,GB/s
7.3
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3484
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
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