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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
8.0
17.0
写入速度,GB/s
7.3
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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