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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
8.0
19.9
写入速度,GB/s
7.3
19.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
4150
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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