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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
33
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
32
读取速度,GB/s
8.0
16.8
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3401
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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