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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
8.0
18.1
写入速度,GB/s
7.3
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3365
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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