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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
34
读取速度,GB/s
8.0
15.2
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3294
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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