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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
38
读取速度,GB/s
8.0
14.0
写入速度,GB/s
7.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2407
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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