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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
40
读取速度,GB/s
8.0
15.6
写入速度,GB/s
7.3
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2772
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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