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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
8.0
16.7
写入速度,GB/s
7.3
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3398
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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