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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
8.0
18.0
写入速度,GB/s
7.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3637
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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