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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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更快的读取速度,GB/s
17.2
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
33
读取速度,GB/s
8.0
17.2
写入速度,GB/s
7.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3595
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
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