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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
17.3
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3359
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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